Cientifica, ISSN 2594-2921, vol. 19, no. 2, July-December 2015.
DOI: https://doi.org/10.46842/ipn.cien.v19n2a03
Extracción del parámetro de Hooge para estimaciones del ruido en baja frecuencia
Hooge Parameter Extraction for Estimates Low Frequency Noise
Recibido 10-11-2014, aceptado 13-03-2015.
Resumen
Se presenta un nuevo método de extracción del parámetro de Hooge basado en mediciones de alta y baja frecuencia. Se hace especial hincapié en el papel que tienen las capacitancias y resistencias electrostáticas en la precisión del parámetro de Hooge. Se demuestra este nuevo cálculo del parámetro en el n-HFET Si/Si0.6Ge0.4 y se compara este valor con aquellos que han sido calculados por el método clásico.
Abstract
A new extraction method for the Hooge parameter based on high frequency and low frequency measurements is presented for the first time. We emphasis on the role played by the resistive and electrostatic parasitics on the accuracy of the Hooge parameter. We illustrate this new approach by calculating the Hooge parameter for a Si/Si0.6Ge0.4 n HFET and we compare these values with those calculated by classical method.
Palabras clave: HFET SiGe, ruido a baja frecuencia,
parámetro de Hooge, ruido 1/f.
Index terms: SiGe HFET; Low frequency noise; Hooge
parameter; 1/f noise.
ISO 690 reference:
Rodríguez, Luis Manuel;
Valdez-Pérez, Donato;
García-Ramírez, Eloy,
2015,
Extracción del parámetro de Hooge para estimaciones del ruido en baja frecuencia,
Científica, Revista Mexicana de Ingeniería Electromecánica y de Sistemas, vol. 19, no. 2,
ISSN 2594-2921,
DOI: https://doi.org/10.46842/ipn.cien.v19n2a03
