Cientifica, ISSN 2594-2921, vol. 26, no. 2, July-December 2022.
DOI: https://doi.org/10.46842/ipn.cien.v26n2a09
Implementación de un sistema de depósito químico en fase vapor asistido por filamento caliente (HFCVD) para la obtención del semiconductor trióxido de tungsteno (WO3)
Implementation of a hot filament assisted chemical vapor deposition system (HFCVD) to obtain the semiconductor tungsten trioxide (WO3)
Recibido 31-08-2022, aceptado 23-12-2022.
Resumen
Se obtuvieron polvos de trióxido de tungsteno (WO3) mediante un sistema de HFCVD (Hot Filament Chemical Vapor Deposition). Los polvos exhibieron tres diferentes coloraciones (azul rey, azul cielo y amarillo), debido al cambio del gas precursor usado (argón (Ar) o argón con vapor de agua (Ar+ H2O) o aire). Los polvos fueron evaluados por Difracción de Rayos-X (DRX) para la determinación de su estructura cristalina, su morfología fue observada mediante Microscopia Electrónica de Barrido (MEB), la composición química elemental se obtuvo por Espectroscopia de Energía Dispersiva (EDS). Por último, se analizaron las bandas de los enlaces presentes en el material con ayuda de Espectroscopia RAMAN. Estas técnicas lograron evidenciar la presencia del trióxido de tungsteno en los polvos obtenidos.
Abstract
Tungsten trioxide (WO3) powders were obtained using a HFCVD (Hot Filament Chemical Vapor Deposition) system. Three different colors (royal blue, sky blue and yellow) due to the change of the implemented precursor gas (argon (Ar) or argon with water vapor (Ar+ H2O) or air) were obtained. The powders were evaluated by X-Ray Diffraction (XRD) to determine the crystalline structure, the morphology was studied by Scanning Electron Microscopy (SEM), the elemental chemical composition was obtained by Energy Dispersive Spectroscopy (EDS). Finally, study of the structure was analyzed by RAMAN Spectroscopy. These techniques were able to demonstrate the presence of tungsten trioxide in the powders obtained.
Palabras clave: semiconductores, trióxido de tungsteno, HFCVD.
Index terms: semiconductors, tungsten trioxide, HFCVD.
ISO 690 reference:
Juan-Almazán, Iván;
Álvarez Gómez, Karin Monserrat;
López, Roberto,
2022,
Implementación de un sistema de depósito químico en fase vapor asistido por filamento caliente (HFCVD)
para la obtención del semiconductor trióxido de tungsteno (WO3),
Científica, Revista Mexicana de Ingeniería Electromecánica y de Sistemas, vol. 26, no. 2,
ISSN 2594-2921, e260209,
DOI: https://doi.org/10.46842/ipn.cien.v26n2a09