Cientifica, ISSN 2594-2921, vol. 19, no. 2, July-December 2015.

DOI: https://doi.org/10.46842/ipn.cien.v19n2a05

Extraction of the Extrinsic Base Resistance of SiGe:C HBTs at 300 K and at 40 K


Extracción de la resistencia de base extrínseca de un transistor bipolar de heterounión SiGe:C a 300K y 40K


Eloy Ramírez-García
Instituto Politécnico Nacional, MÉXICO

Gonzalo Pacheco-Álvarez
Instituto Politécnico Nacional, MÉXICO

Omar Ramírez-Sampedro
Instituto Politécnico Nacional, MÉXICO


Recibido 20-11-2014, aceptado 13-03-2015.

Abstract

This paper introduces the results of the extraction of the extrinsic base resistance reported (RBx) of a silicon germanium carbon (SiGe:C) heterojunction bipolar transistor (HBT) at room (300 K) and low temperature (40 K). The technique is based on S-parameters and electric modeling. In state-of-theart SiGe:C HBT RBx is the parameter that limits the increase the maximum oscillation frequency (fMAX). Hence a technique that permits the RBx extraction may be useful to designers to improve fMAX performances, and develop applications in the terahertz regime.


Resumen

Este documento presenta los resultados de la extracción de la resistencia de base extrínseca (RBx) de un transistor bipolar de heterounión (TBH) silicio germanio carbono (SiGe:C) a temperatura ambiente (300 K) y a baja temperatura (40 K). La técnica se basa en mediciones de los parámetros S y su modelado eléctrico. En el TBH SiGe:C al estado del arte RBx es el parámetro que limita el aumento de la frecuencia de oscilación máxima (fMAX). Por lo tanto una técnica que permita la extracción RBx puede ser útil para los diseñadores para mejorar el rendimiento fMAX, esto con el fin de desarrollar aplicaciones en el régimen de terahertz.

Index terms: apparent base resistance, intrinsic base resistance, extrinsic base resistance, heterojunction bipolar transtistors.
Palabras clave: inteligencia artificial, memorias asociativas, reconocimiento de patrones, memoria de traducción.


ISO 690 reference:
Ramírez-García, Eloy; Pacheco-Álvarez, Gonzalo; Ramírez-Sampedro, Omar, 2015, Extraction of the Extrinsic Base Resistance of SiGe:C HBTs at 300 K and at 40 K, Científica, Revista Mexicana de Ingeniería Electromecánica y de Sistemas, vol. 19, no. 2, ISSN 2594-2921, DOI: https://doi.org/10.46842/ipn.cien.v19n2a05